日本东芝拟大规模增设半导体生产设备
据韩联社新闻网11月10日报道,韩半导体业界和国外媒体报道称,日本东芝公司将在日本滋贺县八日大规模增加设备,提高3D NAND闪存生产量,工厂预计于明年2月开工。报道称,三星电子是全球3D NAND闪存的最大生产厂家,日本东芝排名第二。东芝增建生产设备,意在3D NAND技术领域追赶三星电子。三星电子在3D NAND生产技术方面领先日本一至两年。业界分析,为保持半导体技术在世界的领先地位,三星电子已在韩国平泽大规模扩充生产设备,东芝要想追上三星电子亦非易事。
免责声明:文章为转载,版权归原作者所有。如涉及作品版权问题,请与我们联系(010-67800234)删除。文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。


